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﹤半導體﹥有機鈣鈦礦薄膜低溫製程開發
有機鈣鈦礦薄膜熱穩定不佳以及與基板的不匹配性,使該材料經傳統高溫熱製程時往往導致薄膜劣化
本技術特點在於低溫(可低至室溫)即可完成結晶退火製程,並有助於晶向控制,薄膜品質與元件特性可獲大幅提升
技術簡介
本技術針對有機鈣鈦礦(Organic Perovskite)材料於光電元件應用中常見的熱穩定性不佳與基板不匹配問題,開發出可在低溫甚至室溫下完成的結晶退火製程。此技術可有效控制晶向生長,提升薄膜的結晶性、均勻性與致密度,避免傳統高溫製程造成的材料劣化。透過光退火技術,薄膜結晶性明顯優於熱退火,晶粒更緻密且抗劣化能力提升三倍以上;電場退火技術則能進一步降低缺陷密度,形成大晶粒結構並改善光電特性。此外,本技術亦成功應用於二維有機鈣鈦礦記憶元件開發,藉由晶向控制實現穩定且可重複的電阻切換,次數可達數千次。此低溫高品質鈣鈦礦薄膜製程能兼顧材料穩定性與高效能,適用於太陽能電池、光感測器、雷射、LED、薄膜電晶體及記憶體等光電與半導體元件,具高度產業化潛力,並可透過技術移轉或合作開發推進應用落地。

▲圖說:有機鈣鈦礦薄膜光退火技術開發,薄膜經光退火比熱退火結晶性更好,晶粒組織更為均勻而緻密,同時光退火試片可展現三倍以上抗劣化能力。

▲圖說:有機鈣鈦礦薄膜電場退火技術開發,電場退火試片相比於50℃熱處理或一般常用100℃熱處理都具有更好的結晶性、低缺陷密度(弱PL)與大晶粒結構。

▲圖說:開發二維有機鈣鈦礦薄膜電阻式記憶元件,控制薄膜形成適當晶向排列,元件之電阻切換次數可達數千次。
應用案例
電子、光電、半導體
相關連結
無
專利名稱證號
無
技術產學合作或技轉單位
無
獲獎紀錄
無
技術聯絡人
國立高雄大學 李雨謙專任助理
連絡電話:07-5916639
聯絡信箱:vivianlee@nuk.edu.tw

